| 型号：MT5HTF6472KY-53EA2 | 类别：存储器 - 模块 | 制造商：Micron Technology Inc |
| 封装：244-DIMM | 描述：MODULE DDR2 512MB 244-DIMM | |
详细参数
| 类别 | 存储器 - 模块 |
|---|---|
| 描述 | MODULE DDR2 512MB 244-DIMM |
| 系列 | - |
| 制造商 | Micron Technology Inc |
| 存储器类型 | DDR2 SDRAM |
| 存储容量 | 512MB |
| 速度 | 533MT/s |
| 特点 | - |
| 封装/外壳 | 244-DIMM |
供应商
| 深圳市科雨电子有限公司 | 卢小姐，171-4729-0036微信同号，无线联通更快捷171-4729-0036（微信同号） |
| 深圳市芯宇华航科技有限公司 | 张先生18025408677 |
| GERMANY XIANZHOU GROUP CO., LTD | 刘先生13910052844（微信同步） |
| 深圳市芯宇华航科技有限公司 | 江小姐+86 18025419171 |
| 北京元坤国际科技有限公司 | 何小姐086-010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791 |
MT5HTF6472KY-53EA2相关型号
- MX25L25735EMI-12G
存储器
Macronix
16-SOIC（0.295＂，7.50mm 宽）
IC FLASH SER 3V 256MB 16SOP
- OMI-SH-112DM,394
功率，高于 2 安
TE Connectivity
3-SIP
RELAY GEN PURPOSE SPST 10A 12V
- MVA16VC151MF80TP
电容器
United Chemi-Con
径向，Can - SMD
CAP ALUM 150UF 16V 20% SMD
- MT5692SMI-IP-L-92
调制解调器
Multi-Tech Systems Inc
2.5＂ L x 1.0＂ W x 0.7＂ H（65mm x 27mm x 18mm）
V.92 SERIAL DATA ONLY
- MCR18EZHF19R6
芯片电阻 - 表面安装
Rohm Semiconductor
1206（3216 公制）
RES 19.6 OHM 1/4W 1% 1206 SMD
- MT29F64G08AJABAWP-P:B
存储器
Micron Technology Inc
48-TFSOP（0.724＂，18.40mm 宽）
IC FLASH NAND 64GB 48TSOP
- MCR03EZPJ272
芯片电阻 - 表面安装
Rohm Semiconductor
0603（1608 公制）
RES 2.7K OHM 1/10W 5% 0603 SMD
- HF365/50SF
扁平带
3M
CABLE 50COND RIBBON LT GRY 25FT
- MX25L25735EZNI-12G
存储器
Macronix
8-WDFN 裸露焊盘
IC FLASH SER 3V 256MB 8WSON
- MVA16VC681MJ10TP
电容器
United Chemi-Con
径向，Can - SMD
CAP ALUM 680UF 16V 20% SMD
- OMI-SH-124L,394
功率，高于 2 安
TE Connectivity
3-SIP
RELAY GEN PURPOSE SPDT 10A 24V
- MCR18EZHF2050
芯片电阻 - 表面安装
Rohm Semiconductor
1206（3216 公制）
RES 205 OHM 1/4W 1% 1206 SMD
- MT5692SMI-V-34
调制解调器
Multi-Tech Systems Inc
2.5＂ L x 1.0＂ W x 0.7＂ H（65mm x 27mm x 18mm）
V.34 DATA/FAX SOCKET MODEM
- MCR03EZPJ274
芯片电阻 - 表面安装
Rohm Semiconductor
0603（1608 公制）
RES 270K OHM 1/10W 5% 0603
- MT29F64G08AKCBBH2-12IT:B
存储器
Micron Technology Inc
100-TBGA
IC FLASH NAND 64GB 100TBGA
- HF365/64SF
扁平带
3M
CABLE 64COND RIBBON LT GRY 100FT
- MX25L3206EM2I-12G
存储器
Macronix
8-SOIC（0.209＂，5.30mm 宽）
IC FLASH SER 3V 32MB 86MHZ 8SOP
- OMI-SS-112D,300
功率，高于 2 安
TE Connectivity
3-SIP
RELAY GEN PURPOSE SPDT 10A 12V
- MVA16VE222ML17TR
电容器
United Chemi-Con
径向，Can - SMD
CAP ALUM 2200UF 16V 20% SMD
- MCR18EZHF2051
芯片电阻 - 表面安装
Rohm Semiconductor
1206（3216 公制）
RES 2.05K OHM 1/4W 1% 1206 SMD
- MCR03EZPJ274
芯片电阻 - 表面安装
Rohm Semiconductor
0603（1608 公制）
RES 270K OHM 1/10W 5% 0603 SMD
- MT29F64G08AMCBBH2-12:B
存储器
Micron Technology Inc
100-TBGA
IC FLASH NAND 64GB 100TBGA
- HF365/64SF
扁平带
3M
CABLE 64COND RIBBON LT GRY 25FT
- MX25L3206EZNI-12G
存储器
Macronix
8-WDFN 裸露焊盘
IC FLASH SER 3V 32MB 86MHZ 8WSON
- OMI-SS-205LM,500
功率，高于 2 安
TE Connectivity
3-SIP
RELAY GENERAL PURPOSE DPST 5A 5V
- MVA25VC151MH10TP
电容器
United Chemi-Con
径向，Can - SMD
CAP ALUM 150UF 25V 20% SMD
- MT5VDDT1672HG-265F3
存储器 - 模块
Micron Technology Inc
200-SODIMM
MODULE DDR2 128MB 200SODIMM
- MCR18EZHF2052
芯片电阻 - 表面安装
Rohm Semiconductor
1206（3216 公制）
RES 20.5K OHM 1/4W 1% 1206 SMD
- MCR03EZPJ2R2
芯片电阻 - 表面安装
Rohm Semiconductor
0603（1608 公制）
RES 2.2 OHM 1/10W 5% 0603 SMD
- MT29F64G08CECCBH1-12:C
存储器
Micron Technology Inc
100-VBGA
IC FLASH NAND 64GB 100VBGA
- HF50ACB201209-T
铁氧体磁珠和芯片
TDK Corporation
0805（2012 公制）
FERRITE CHIP 11 OHM 600MA 0805
- MX25L4006EPI-12G
存储器
Macronix
8-DIP（0.300＂，7.62mm）
IC FLASH SER 3V 4MB 86MHZ 8PDIP
- OMI-SS-248L,500
功率，高于 2 安
TE Connectivity
3-SIP
RELAY GEN PURPOSE DPDT 5A 48V
- MVA25VE332MM22TR
电容器
United Chemi-Con
径向，Can - SMD
CAP ALUM 3300UF 25V 20% SMD
- MT5VDDT1672HG-26AC3
存储器 - 模块
Micron Technology Inc
200-SODIMM
MODULE SDRAM DDR 128MB 200SODIMM
- MCR18EZHF2053
芯片电阻 - 表面安装
Rohm Semiconductor
1206（3216 公制）
RES 205K OHM 1/4W 1% 1206 SMD
- MCR03EZPJ2R4
芯片电阻 - 表面安装
Rohm Semiconductor
0603（1608 公制）
RES 2.4 OHM 1/10W 5% 0603 SMD
- MT29F64G08CFACAWP:C TR
存储器
Micron Technology Inc
48-TFSOP（0.724＂，18.40mm 宽）
IC FLASH NAND 64GB 48TSOP
- MX25L512EMI-10G
存储器
Macronix
8-SOIC（0.154＂，3.90mm 宽）
IC FLASH SER 3V 512KB 8SOP
- HF50ACB321611-T
铁氧体磁珠和芯片
TDK Corporation
1206（3216 公制）
FERRITE CHIP 31 OHM 500MA 1206
